SQJB04ELP-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 16400 шт
Количество Цена
1 1 596 ₽
10 317 ₽
100 138 ₽
500 100 ₽
3000 78 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJB04ELP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJB04ELP-T1_GE3 от 78 рублей в наличии 16400 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJB04ELP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 22А; Idm: 120А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    27Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    20нC
  • Ток стока
    22А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    11мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    120А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.13g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация