Транзисторы и модули IGBT

Найдено 257 результатов

Сортировать по:

Цене

Названию

Только в наличии

Плитка

Список

FF300R12KS4

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; AG-62MM-1; винтами; винтами

от 19805.59 руб

Подробнее

FF300R12KT4HOSA1

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; AG-62MM-1; винтами; винтами

от 15611.66 руб

Подробнее

FF450R06ME3

Полумост IGBT,термистор NTC; Urmax: 600В; Ic: 450А; AG-ECONOD-3

от 17656.5 руб

Подробнее

FF450R12KE4

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 450А; AG-62MM-1; винтами; винтами

от 19983.35 руб

Подробнее

FF450R12KT4

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 450А; AG-62MM-1; винтами; винтами

от 24718.57 руб

Подробнее

FF900R12IE4

Полумост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; AG-PRIME2-1

от 63192.39 руб

Подробнее

FP15R12W1T4_B3

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор NTC; 130Вт

от 3829.07 руб

Подробнее

FP20R06W1E3_B11

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор NTC; 94Вт

от 3270.42 руб

Подробнее

FP25R12KT3BOSA1

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор NTC; 155Вт

от 8456.04 руб

Подробнее

FP40R12KE3

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор NTC; 200Вт

от 11151.76 руб

Подробнее

FP40R12KT3GBOSA1

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор NTC; 10Вт

от 12266.4 руб

Подробнее

FP75R12KT4

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор NTC; 385Вт

от 16058.05 руб

Подробнее

FS20R06VE3

Полумост IGBT x3; Urmax: 600В; Ic: 20А; AG-EASY750-1; под пайку

от 1865.75 руб

Подробнее

FS50R12KE3

3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; винтами

от 9478.46 руб

Подробнее

FS75R06KE3

Полумост IGBT x2,термистор NTC; Urmax: 600В; Ic: 75А; AG-ECONO2-6

от 8615.08 руб

Подробнее

FZ600R12KE3

Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM-2; винтами; винтами; 2,8кВт

от 15344.36 руб

Подробнее

IXGN200N60B3

Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 830Вт; GenX3™,PT

от 2762.55 руб

Подробнее

IXGN320N60A3

Ic: 170А; SOT227B; винтами; винтами; 735Вт; GenX3™,PT

от 2304.13 руб

Подробнее

MG12150D-BA1MM

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; package D; винтами; винтами

по запросу

Подробнее

MG12150D-BA1MM

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; package D; винтами; винтами

по запросу

Подробнее

Предыдущая 123 4...12 13 Следующая

20 50 100 200

Транзисторы и модули IGBT

Биполярные транзисторы с изолированной базой — это уникальное сочетание характеристик полевых и биполярных транзисторов, а именно для них характерен малый ток управления, как в униполярных транзисторах, и выходные параметры биполярных. Транзисторы и модули IGBT сочетают в себе основные достоинства ПТ и БТ. IGBT транзисторы являются основными элементами, которые применяются в современных мощных полупроводниковых приборах, изготовленных для преобразовательной техники.

В основном данное изделие используется как мощнейший электронный ключ в импульсных источниках питания, системах управления электроприводами, инверторах. Производители данный продукции регулярно пополняют ассортимент товаров новыми сериями изделий, которые оснащены более плавными характеристиками переключения и меньшими динамическими потерями. В зависимости от сложности поставленных задач, индивидуально подбирается и модель устройства, с наличием идеальных характеристик, которые помогут качественно выполнить любую работу.

В каталогах нашей компании представлен широкий ассортимент IGBT транзисторов и модулей, которые отличаются между собой по таким критериям как:

- тип монтажа (ТНТ, SMD);

- вид упаковки;

- исполнение корпуса;

- максимально допустимое значение мощности, напряжения, тока;

- время включения и выключения;

- энергия отключения и подключения.

Представленные в каталогах компании модули с чипами IGBT являются устройствами нового поколения, которые позволяют не только насладиться длительной и продуктивной работой всего оборудования, но и повысить надёжность работы преобразователей и значительно увеличить запас по перегрузке в динамических режимах.

Благодаря технологичному прогрессу, ведущие компании, которые специализируются на производстве силовых полупроводниковых приборов, освоили выпуск ключей для топологии силовых схем разнообразных преобразовательных устройств, а параллельное соединение силовых модулей не требует отдельного подбора параметров и применения дополнительных элементов.

Любые транзисторы и модули IGBT подлежат длительной гарантии от производителя, доступны в любом количестве и по цене.