Транзисторы и модули IGBT

Товаров: 3070

Сортировать:

Цене

Плитка

Список

STGW40NC60KD

Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1700В

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; винтами

Транзистор: IGBT; Trench; 600В; 39А; 123Вт; TO262

от 621 ₽

+931 балл

Подробнее

SK 60 GB 125 24910770

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами

Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO247-3

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 27А

Transistor: IGBT; 1.35kV; 40A; 510W; TO247-3

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 20А

Transistor: IGBT; 13.52kV; 25A; 340W; TO247-3

Транзистор: IGBT; PT; 600В; 49А; 463Вт; TO247-3

Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 40А; TO247-3

от 1 598 ₽

+7192 балла

Подробнее

Предыдущая 1 2...136 137138139 140...153 154 Следующая

20 50 100 200

Транзисторы и модули IGBT

Биполярные транзисторы с изолированной базой — это уникальное сочетание характеристик полевых и биполярных транзисторов, а именно для них характерен малый ток управления, как в униполярных транзисторах, и выходные параметры биполярных. Транзисторы и модули IGBT сочетают в себе основные достоинства ПТ и БТ. IGBT транзисторы являются основными элементами, которые применяются в современных мощных полупроводниковых приборах, изготовленных для преобразовательной техники.

В основном данное изделие используется как мощнейший электронный ключ в импульсных источниках питания, системах управления электроприводами, инверторах. Производители данный продукции регулярно пополняют ассортимент товаров новыми сериями изделий, которые оснащены более плавными характеристиками переключения и меньшими динамическими потерями. В зависимости от сложности поставленных задач, индивидуально подбирается и модель устройства, с наличием идеальных характеристик, которые помогут качественно выполнить любую работу.

В каталогах нашей компании представлен широкий ассортимент IGBT транзисторов и модулей, которые отличаются между собой по таким критериям как:

тип монтажа (ТНТ, SMD);
вид упаковки;
исполнение корпуса;
максимально допустимое значение мощности, напряжения, тока;
время включения и выключения;
энергия отключения и подключения.

Представленные в каталогах компании модули с чипами IGBT являются устройствами нового поколения, которые позволяют не только насладиться длительной и продуктивной работой всего оборудования, но и повысить надёжность работы преобразователей и значительно увеличить запас по перегрузке в динамических режимах.

Благодаря технологичному прогрессу, ведущие компании, которые специализируются на производстве силовых полупроводниковых приборов, освоили выпуск ключей для топологии силовых схем разнообразных преобразовательных устройств, а параллельное соединение силовых модулей не требует отдельного подбора параметров и применения дополнительных элементов.

Любые транзисторы и модули IGBT подлежат длительной гарантии от производителя, доступны в любом количестве и по цене.

Вы смотрели: