Транзисторы и модули IGBT

Найдено 257 результатов

Сортировать по:

Цене

Названию

Только в наличии

Плитка

Список

PSSI50/12

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 33А; ECO-PAC 2; под пайку

от 1326.12 руб

Подробнее

PSSI75/06

Тормозной транзистор; Urmax: 600В; Ic: 48А; ECO-PAC 2; под пайку

от 1337.43 руб

Подробнее

PSSI75/12

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; ECO-PAC 2; под пайку

от 2291.41 руб

Подробнее

SEMIX101GD12VS

3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 121А; SEMIX13

от 11774.71 руб

Подробнее

SEMIX402GAL066HDS

Тормозной транзистор; Urmax: 600В; Ic: 379А; SEMIX2S; винтами

от 7480.76 руб

Подробнее

SK 35 GAL 12T4

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; SEMITOP2; V: T2

от 1550.22 руб

Подробнее

SKIIP 01NEC066V3 M20

1-фазный диодный мост,3-фазный мост IGBT,термистор; Ic: 11А

от 2299.64 руб

Подробнее

SKIIP11NAB065V1 M20

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор; Ic: 10А

от 3101.48 руб

Подробнее

SKIIP 11NAB126V1 M20

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор; Ic: 15А

от 3599.03 руб

Подробнее

SKIIP 12AC126V1 M20

3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А; P: 5,5кВт

от 3752.2 руб

Подробнее

SKIIP12NAB126V1 M20

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор; Ic: 22А

от 4328.91 руб

Подробнее

SKIIP22NAB126V10 M20

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор; Ic: 22А

от 5540.92 руб

Подробнее

SKIIP24NAB126V10 M20

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор; Ic: 40А

от 7203.2 руб

Подробнее

SKIIP25AC126V1 M20

3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А; P: 15кВт

от 7809.72 руб

Подробнее

SKIIP 26AC126V1 M20

3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; винтами

от 9835.9 руб

Подробнее

SKIIP35NAB126V1 M20

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор; Ic: 55А

от 10528.78 руб

Подробнее

SKIIP38NAB12T4V1 M20

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор; Ic: 93А

от 16140.63 руб

Подробнее

SKIM 200GD126D

3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 180А; SKiM4

от 41558.96 руб

Подробнее

SKM100GAL12T4

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 123А; SEMITRANS2; винтами

от 5772.22 руб

Подробнее

SKM100GAL12T4

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 123А; SEMITRANS2; винтами

от 5772.22 руб

Подробнее

Предыдущая 1...3 456 7...12 13 Следующая

20 50 100 200

Транзисторы и модули IGBT

Биполярные транзисторы с изолированной базой — это уникальное сочетание характеристик полевых и биполярных транзисторов, а именно для них характерен малый ток управления, как в униполярных транзисторах, и выходные параметры биполярных. Транзисторы и модули IGBT сочетают в себе основные достоинства ПТ и БТ. IGBT транзисторы являются основными элементами, которые применяются в современных мощных полупроводниковых приборах, изготовленных для преобразовательной техники.

В основном данное изделие используется как мощнейший электронный ключ в импульсных источниках питания, системах управления электроприводами, инверторах. Производители данный продукции регулярно пополняют ассортимент товаров новыми сериями изделий, которые оснащены более плавными характеристиками переключения и меньшими динамическими потерями. В зависимости от сложности поставленных задач, индивидуально подбирается и модель устройства, с наличием идеальных характеристик, которые помогут качественно выполнить любую работу.

В каталогах нашей компании представлен широкий ассортимент IGBT транзисторов и модулей, которые отличаются между собой по таким критериям как:

- тип монтажа (ТНТ, SMD);

- вид упаковки;

- исполнение корпуса;

- максимально допустимое значение мощности, напряжения, тока;

- время включения и выключения;

- энергия отключения и подключения.

Представленные в каталогах компании модули с чипами IGBT являются устройствами нового поколения, которые позволяют не только насладиться длительной и продуктивной работой всего оборудования, но и повысить надёжность работы преобразователей и значительно увеличить запас по перегрузке в динамических режимах.

Благодаря технологичному прогрессу, ведущие компании, которые специализируются на производстве силовых полупроводниковых приборов, освоили выпуск ключей для топологии силовых схем разнообразных преобразовательных устройств, а параллельное соединение силовых модулей не требует отдельного подбора параметров и применения дополнительных элементов.

Любые транзисторы и модули IGBT подлежат длительной гарантии от производителя, доступны в любом количестве и по цене.