SI3590DV-T1-GE3

всего в наличии 5084 шт
Количество Цена ₽/шт
1 228
100 137
1000 98
6000 82
30000 75
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI3590DV-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI3590DV-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3590DV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2/-1,3А; Idm: 8А

  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    2/-1,3А
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Производитель
    VISHAY
  • Рассеиваемая мощность
    0,53Вт
  • Полярность
    полевой
  • Корпус
    TSOP6
  • Технология
    TrenchFET®
  • Сопротивление в открытом состоянии
    77/170мОм
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    4,5/6нC
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация