Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2546 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 197
50 90
500 59
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 2 546 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI9933CDY-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI9933CDY-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI9933CDY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 3,1Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 26нC
Выбрано: Показать
Ток стока -4А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 94мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±12В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -20А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Вес 0.116g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти