SQJ912DEP-T1_GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии
17900 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 316 ₽ |
| 10 | 200 ₽ |
| 50 | 150 ₽ |
| 500 | 105 ₽ |
| 9000 | 80 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулSQJ912DEP-T1-GE3
-
ПроизводительVISHAY
SQJ912DEP-T1_GE3 от 80 рублей в наличии 17900 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
SQJ912DEP-T1-GE3 описание и характеристики
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А
Вы смотрели:
Похожие товары
AO4611
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
от 102 ₽
+7650 баллов
Подробнее
AO4616
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
от 48 ₽
+43200 баллов
Подробнее
