IXGN200N60B3

IXGN200N60B3
IXGN200N60B3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+1241 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    IXGN200N60B3
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 186.57 KB
Вы можете запросить у нас любое количество IXGN200N60B3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXGN200N60B3 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    IGBT
  • Рассеиваемая мощность
    830Вт
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    600В
  • Технология
    PT
  • Технология
    GenX3™
  • Ток коллектора
    200А
  • Ток коллектора в импульсе
    1,2кА
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    37.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Каталог
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text