IXDN75N120

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 310 шт
Количество Цена
1 7 541 ₽
10 5 642 ₽
100 5 160 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+774 балла
IXDN75N120 от 5160 рублей в наличии 310 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXDN75N120 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    IGBT
  • Рассеиваемая мощность
    660Вт
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    1,2кВ
  • Технология
    NPT
  • Ток коллектора
    150А
  • Ток коллектора в импульсе
    190А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    34.72g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация