IXFN38N100P

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 13 шт
Количество Цена
1 10 916 ₽
10 8 300 ₽
100 7 434 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1115 баллов
IXFN38N100P от 7434 рублей в наличии 13 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXFN38N100P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    1кВт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    Polar™
  • Технология
    HiPerFET™
  • Заряд затвора
    0,35мкC
  • Ток стока
    38А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1кВ
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,21Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±40В
  • Время готовности
    300нс
  • Ток стока в импульсном режиме
    120А
  • Gate-source voltage
    ±40В
  • Тип полупроводникового модуля
    MOSFET транзистор
  • Вес
    37.24g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация