IXFN170N30P

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+1426 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    IXFN170N30P
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
Вы можете запросить у нас любое количество IXFN170N30P, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN170N30P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; Ugs: ±30В; 890Вт

  • Ток стока в импульсном режиме
    500А
  • Напряжение сток-исток
    300В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    18мОм
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Polar™
  • Корпус
    SOT227B
  • Производитель
    IXYS
  • Рассеиваемая мощность
    890Вт
  • Ток стока
    138А
  • Технология
    HiPerFET™
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Заряд затвора
    258нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Время готовности
    200нс
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Механический монтаж
    винтами
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Вес
    29.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация