Каталог товаров

IXTN170P10P

IXTN170P10P

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 506 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 7 949
10 5 939
100 5 053
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 506 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXTN170P10P

Производитель

Техническое описание

Купить IXTN170P10P от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXTN170P10P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; -100В; -170А; SOT227B; Ugs: ±30В

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля полевой МОП-транзистор
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 890Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Технология PolarP™
Выбрано: Показать
Заряд затвора 240нC
Выбрано: Показать
Ток стока -170А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -100В
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 14мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Время готовности 176нс
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -510А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля MOSFET транзистор
Выбрано: Показать
Вес 30g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти