Ещё из раздела
- 43R16320F-6TL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 42RM16160K-75BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S83200J-7TL-TR IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 42S16160J-6BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S32200L-6BLI-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43DR81280C-3DBL IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA60; 0÷85°C
- 42SM32800K-75BLITR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 46DR16640C25DBLA2T IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷105°C
- 43DR81280C25DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 45S32400F-6BLA2 IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷105°C
- 42S16800F-6TLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 42RM32400H-75BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 45S16100H-7TLA2-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; -40÷105°C
- 46TR16640ED15HBLA1 IC: память DRAM; 64Mx16бит; 13,5нс; TWBGA96; -40÷95°C; лоток,туба
- 43TR16640C-125JBLI IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1066МГц; 12,5нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 43DR16320E-3DBL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; 0÷85°C
- 45S32800J-6TLA1 IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 42S32200L-7BL IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; 0÷70°C
- 45S16320F-7BLA1 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TWBGA54; -40÷85°C
- 43DR16320E-25DBLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 43LR16320C-6BL-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; 0÷70°C
- 42S32200L-6TLI-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 43TR16128C125KBLTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 42S16100H-7TL IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; 0÷70°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию