Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

О разделе «Памяти DRAM - микросхемы»

Память с динамическим доступом (DRAM) является основным типом памяти, используемым в компьютерах, серверах и других вычислительных устройствах. Эти микросхемы памяти обеспечивают высокую скорость передачи данных и большой объем хранения информации по сравнению с их стоимостью.

Основные характеристики DRAM

Микросхемы DRAM предлагают множество функциональных преимуществ:

  • Высокая плотность данных: позволяет хранить большое количество информации на сравнительно малой площади кристалла.
  • Быстрая скорость чтения/записи: обеспечивает эффективное выполнение программ и обработку данных.
  • Волатильность: требует постоянного обновления данных, поскольку информация теряется при отключении питания.

Типы и классификация DRAM

Памяти DRAM могут быть классифицированы по разным критериям, включая тип доступа и скорость работы. Однако основное разделение происходит по стандартам, которые определяют характеристики памяти, такие как временные параметры, скорость и интерфейс. Некоторые из стандартных типов включают SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, и DDR4, с каждым последующим поколением, предлагающим улучшения в скорости и эффективности.

Применение DRAM

Микросхемы DRAM находят применение во многих областях:

  • Персональные компьютеры и ноутбуки: в качестве основной оперативной памяти.
  • Серверы: для обработки больших объемов данных в корпоративных и облачных вычислениях.
  • Игровые консоли: для обеспечения высокой пропускной способности и быстрого доступа к данным.
  • Мобильные устройства: DRAM используется в смартфонах и планшетах для мультимедийных приложений и игр.

Выбор микросхемы DRAM

При выборе микросхемы DRAM важно учитывать следующие параметры: размер памяти, скорость данных, латентность и напряжение питания. Размер памяти определяет, сколько информации может быть сохранено в памяти. Высокая скорость данных позволяет лучше справляться с требованиями современных приложений. Латентность представляет собой задержку между запросом к памяти и выполнением операции. Напряжение питания влияет на энергопотребление и тепловыделение.

Технические инновации и будущее DRAM

Развитие технологии DRAM не стоит на месте. С увеличением объема данных и требований к скорости обработки, производители памяти стремятся к разработке новых стандартов, таких как DDR5 и GDDR6, которые предлагают еще большую пропускную способность и эффективность энергопотребления.

Исследования также направлены на уменьшение эффекта "memory wall", когда рост производительности процессоров опережает скорость доступа к памяти. Решениями этой проблемы могут стать интеграция памяти с логическими схемами и использование трехмерных структур для увеличения плотности и скорости.

Микросхемы DRAM продолжают быть неотъемлемой частью современных электронных устройств, предоставляя необходимую скорость и объем для выполнения вычислительных задач. Они олицетворяют собой баланс между стоимостью, производительностью и вместимостью, делая их идеальным выбором для широкого спектра приложений.

Памяти DRAM - микросхемы

1 301 позиция
Производитель 6
Рабочая температура 10
Корпус 39
Рабочее напряжение 14
Вид упаковки 4
Тип микросхемы 3
Вид памяти 13
Тактовая частота 19
Емкость памяти 23
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
IS43TR16512B-125KBLI, IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
  • 1 шт. — в наличии
  • 1 шт. — 4 661 ₽
4 661 ₽
В корзину
Доступно 1 шт.
AS4C2M32SA-6TCN, IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
  • 7686 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 271 ₽
  • 10 шт. — 2 110 ₽
  • 25 шт. — 2 045 ₽
  • 50 шт. — 1 996 ₽
  • 108 шт. — 1 942 ₽
2 271 ₽
В корзину
Доступно 7 686 шт.
AS4C64M16D2A-25BIN, IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C
  • 7634 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 7 249 ₽
  • 10 шт. — 6 707 ₽
  • 25 шт. — 6 493 ₽
  • 50 шт. — 6 332 ₽
  • 209 шт. — 6 007 ₽
7 249 ₽
В корзину
Доступно 7 634 шт.
AS4C4M32SA-7TCN, IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP86; 0÷70°C
  • 4828 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 227 ₽
  • 10 шт. — 2 069 ₽
  • 25 шт. — 2 006 ₽
  • 50 шт. — 1 958 ₽
  • 108 шт. — 1 905 ₽
2 227 ₽
В корзину
Доступно 4 828 шт.
AS4C4M16SA-6TINTR, IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
  • 4263 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 979 ₽
  • 10 шт. — 1 841 ₽
  • 25 шт. — 1 784 ₽
  • 50 шт. — 1 741 ₽
  • 100 шт. — 1 660 ₽
1 979 ₽
В корзину
Доступно 4 263 шт.
AS4C4M32SA-6TIN, IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86; -40÷85°C
  • 4051 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 546 ₽
  • 10 шт. — 2 364 ₽
  • 25 шт. — 2 291 ₽
  • 50 шт. — 2 235 ₽
  • 108 шт. — 2 175 ₽
2 546 ₽
В корзину
Доступно 4 051 шт.
AS4C16M16SB-6TIN, IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
  • 2861 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 4 347 ₽
  • 10 шт. — 4 029 ₽
  • 25 шт. — 3 902 ₽
  • 50 шт. — 3 807 ₽
  • 108 шт. — 3 702 ₽
4 347 ₽
В корзину
Доступно 2 861 шт.
AS4C32M16SB-7TCNTR, IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
  • 1452 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 753 ₽
  • 10 шт. — 5 199 ₽
  • 25 шт. — 4 961 ₽
  • 50 шт. — 4 815 ₽
  • 100 шт. — 4 682 ₽
6 753 ₽
В корзину
Доступно 1 452 шт.
AS4C4M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
  • 1256 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 304 ₽
  • 10 шт. — 2 140 ₽
  • 25 шт. — 2 074 ₽
  • 50 шт. — 2 024 ₽
  • 100 шт. — 1 975 ₽
2 304 ₽
В корзину
Доступно 1 256 шт.
AS4C64M8D1-5BIN, IC: память DRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; -40÷95°C; лоток
  • 960 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 4 101 ₽
  • 10 шт. — 3 801 ₽
  • 25 шт. — 3 681 ₽
  • 50 шт. — 3 592 ₽
  • 240 шт. — 3 392 ₽
4 101 ₽
В корзину
Доступно 960 шт.
AS4C256M16D4-83BIN, IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; лоток
  • 768 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 16 517 ₽
  • 10 шт. — 15 244 ₽
  • 25 шт. — 14 746 ₽
  • 50 шт. — 14 374 ₽
16 517 ₽
В корзину
Доступно 768 шт.
AS4C32M16SC-7TIN, IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
  • 576 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 186 ₽
  • 10 шт. — 5 726 ₽
  • 25 шт. — 5 543 ₽
  • 50 шт. — 5 406 ₽
  • 108 шт. — 5 256 ₽
6 186 ₽
В корзину
Доступно 576 шт.
AS4C32M16SB-7TCN, IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
  • 478 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 4 468 ₽
  • 50 шт. — 4 068 ₽
  • 108 шт. — 3 881 ₽
  • 216 шт. — 3 732 ₽
  • 324 шт. — 3 647 ₽
4 468 ₽
В корзину
Доступно 478 шт.
AS4C32M16SB-7TIN, IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
  • 442 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 7 546 ₽
  • 10 шт. — 6 979 ₽
  • 25 шт. — 6 755 ₽
  • 50 шт. — 6 588 ₽
  • 108 шт. — 6 404 ₽
7 546 ₽
В корзину
Доступно 442 шт.
AS4C64M16D2A-25BCN, IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C
  • 377 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 8 477 ₽
  • 10 шт. — 7 840 ₽
  • 25 шт. — 7 588 ₽
  • 50 шт. — 7 399 ₽
  • 209 шт. — 7 019 ₽
8 477 ₽
В корзину
Доступно 377 шт.
AS4C2M32SA-6TIN, IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; -40÷85°C
  • 120 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 102 ₽
  • 10 шт. — 1 954 ₽
  • 25 шт. — 1 894 ₽
  • 50 шт. — 1 848 ₽
  • 108 шт. — 1 797 ₽
2 102 ₽
В корзину
Доступно 120 шт.
AS4C256M16D3LC-12BIN, IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток AS4C256M16D3LC-12BIN, IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
  • 97 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 12 323 ₽
  • 10 шт. — 11 383 ₽
  • 25 шт. — 11 013 ₽
  • 50 шт. — 10 738 ₽
12 323 ₽
В корзину
Доступно 97 шт.
AS4C32M16SB-7TINTR, IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
  • 78 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 7 513 ₽
  • 10 шт. — 5 900 ₽
  • 25 шт. — 5 639 ₽
  • 50 шт. — 5 476 ₽
7 513 ₽
В корзину
Доступно 78 шт.

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти