Ещё из раздела
- 42S16160J-6BL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 45S16160J-7TLA1 IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 43TR16512BL125KBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 42S16100H-6TLI IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TSOP50 II; -40÷85°C
- 42VM32160E-75BLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
- 42SM16800H-75BLI IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43LD16640C-25BLITR IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 18нс; TFBGA134; -40÷85°C
- 45S32400F-6TLA2 IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷105°C
- 42S32200L-7TL-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; 0÷70°C
- 43QR16256B-083RBLI IC: память DRAM; 256Мx16бит; 13,32нс; TWBGA96; -40÷95°C; 1,2ВDC
- 42S16800F-5TLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 43QR16512A-083TBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 14,16нс; TWBGA96; -40÷95°C; 1,2ВDC
- 42RM32400H-6BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43TR82560D125KBLIT IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA78; -40÷95°C
- 42S32160F-6BL IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90; 0÷70°C; parallel
- 43LR16320C-6BLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 45S16400J-7TLA1-TR IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 45S16800F-7TLA2-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 42VM32800K-6BLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 42S32800J-6BLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43R83200F-5TL IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 43LR16200D-6BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 43DR86400E-3DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 43DR16128C25DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позиция