Ещё из раздела
- 43R16800E-6TL IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 45S16800F-7BLA1 IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43LD16128B-25BL-TR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 18нс; TFBGA134; 0÷85°C
- 42SM32800K-6BLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43DR16128C-3DBL-TR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; 0÷85°C
- 45S32400F-7BLA2 IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; -40÷105°C
- 42S32800J-6BLI-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43DR86400E-25DBLI IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 43TR16128CL125KBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 45S16100H-7BLA2-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TFBGA60; -40÷105°C
- 42S83200J-7TL IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 46TR16128C-15HBLA2 IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,5нс; TWBGA96; -40÷105°C
- 43LD32640B-18BL-TR IC: DRAM memory; 8Mx32bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134; 0÷85°C
- 42SM32100D-6BLI-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43TR16128C-15HBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,5нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 46DR16160B25DBLA1T IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- AS4C1G16D4-062BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1600МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 42S16160J-6BL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 45S16160J-7TLA1 IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 43TR16512BL125KBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 42S16100H-6TLI IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TSOP50 II; -40÷85°C
- 42VM32160E-75BLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
- 42SM16800H-75BLI IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43LD16640C-25BLITR IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 18нс; TFBGA134; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позиция