Ещё из раздела
- 4C8M32MD2A-25BCNTR IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C8M32MD2A-25BPCN IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; -25÷85°C; лоток
- AS4C128M8D1-6TINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- AS4C128M8D3B-12BAN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- AS4C16M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; бобина
- AS4C16M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; бобина
- AS4C16M16SA-6BAN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C16M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C16M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M16SA-6TAN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C16M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C16M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C16M16SB-6TIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C16M16SB-6TINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C16M16SB-7TCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M16SB-7TCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M32MD1-5BIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C1G8D3LA-10BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D3LA-10BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1M16S-6TCNTR IC: память DRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II; 0÷70°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 27 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 419 ₽
- 10 шт. — 3 170 ₽
- 25 шт. — 3 071 ₽
3 419 ₽
В корзину
Доступно 27 шт.