AS4C2M32D1A-5BIN

AS4C2M32D1A-5BIN

нет в наличии

Количество	Цена ₽/шт
1	1 235
10	1 117
25	1 093
50	1 088
100	996

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 шт и кратно 1 шт

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
AS4C2M32D1A-5BIN
Производитель
ALLIANCE MEMORY
Техническое описание:

Документация язык EN

Pdf, 2.14 MB

Вы можете запросить у нас любое количество AS4C2M32D1A-5BIN, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

AS4C2M32D1A-5BIN описание и характеристики

IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C; лоток

Смежные товары

ATS-52170B-C1-R0

ATS-52170B-C1-R0

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; синий; L: 17мм; W: 28,44мм

+17703 балла

Подробнее

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; черный; L: 40,5мм; W: 40,5мм

+17703 балла

Подробнее

ATS-52375P-C1-R0

ATS-52375P-C1-R0

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; синий; L: 37,5мм; W: 65,24мм

+17703 балла

Подробнее

ATS-52310B-C1-R0

ATS-52310B-C1-R0

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; синий; L: 31мм; W: 44,42мм

+17703 балла

Подробнее

ATS-52230B-C1-R0

ATS-52230B-C1-R0

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; синий; L: 23мм; W: 37,52мм

+17703 балла

Подробнее

ATS-52350P-C1-R0

ATS-52350P-C1-R0

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; синий; L: 35мм; W: 61,34мм

+17703 балла

Подробнее

ATS-53230K-C1-R0

ATS-53230K-C1-R0

Радиатор: подключаемые; ребристый; BGA; черный; L: 23мм; W: 23мм

+17703 балла

Подробнее

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; черный; L: 27,9мм; W: 27,9мм

+17703 балла

Подробнее

ATS-52190P-C1-R0

ATS-52190P-C1-R0

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; синий; L: 19мм; W: 34,74мм

+17703 балла

Подробнее

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; золотистый; L: 58мм; W: 23мм

+17703 балла

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 200МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+100313 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+81478 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+82388 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+95837 баллов

Подробнее

AS4C128M16D3LA-12BCN

AS4C128M16D3LA-12BCN

Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C

+2469 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+16752 балла

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BIN

AS4C128M8D3B-12BIN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷85°C

+19092 балла

Подробнее

AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+94453 балла

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+12948 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток

+11648 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+341366 баллов

Подробнее

AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+23262 балла

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text