Ещё из раздела
- 4C512M16D3LA-10BAN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA-10BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA-10BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA10BANT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LA10BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA10BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LB-12BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LB-12BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LB12BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LB12BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; бобина
- 4C512M8D3LC-12BAN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C512M8D3LC-12BCN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C512M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-83BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-83BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C64M16D1A-6BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; 0÷95°C; бобина
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 1289 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 696 ₽
- 10 шт. — 1 577 ₽
- 25 шт. — 1 528 ₽
- 50 шт. — 1 492 ₽
- 100 шт. — 1 457 ₽
1 696 ₽
В корзину
Доступно 1 289 шт.
- 136 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 866 ₽
- 10 шт. — 1 732 ₽
- 25 шт. — 1 680 ₽
- 50 шт. — 1 639 ₽
- 108 шт. — 1 565 ₽
1 866 ₽
В корзину
Доступно 136 шт.
- 47 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 849 ₽
- 10 шт. — 1 718 ₽
- 25 шт. — 1 667 ₽
1 849 ₽
В корзину
Доступно 47 шт.
- 35 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 269 ₽
- 10 шт. — 2 108 ₽
- 25 шт. — 2 042 ₽
2 269 ₽
В корзину
Доступно 35 шт.