Ещё из раздела
- 43R16800E-5TL IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 42S32800J-6TLI-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 42S32400F-7BL IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 42SM32400H-6BLI-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 42S16320F-6TL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 43R16160F-6TL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 42S32800J-7BL-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 42SM32400H-75BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43TR16256BL-107MBL IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,91нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 43TR16512B-125KBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 43TR16128DL125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 42S16400J-6BL IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 42S16100H-6TL IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- 43LR16640A-5BL-TR IC: память DRAM; 16Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TWBGA60; 0÷70°C
- 42S16400J-7B2LI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 42VM16160K-75BLITR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43R16800E-6TL-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 43R16160F-5TLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 42SM16400M-75BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S32160F-6TLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- 42S16400J-6TLI-TR IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 43DR16160B-25DBLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 43LD16640C-18BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 533МГц; 18нс; TFBGA134; -40÷85°C
- 43DR82560C-25DBLI IC: DRAM memory; 32Mx8bitx8; 400MHz; 5ns; TWBGA60; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию