Ещё из раздела
- 4C256M16MD4-062BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C
- 4C256M32MD4-062BAN IC: память DRAM; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C; лоток
- 4C256M8D2-25BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C256M8D2-25BINTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷95°C
- 4C256M8D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C256M8D3LC-12BAN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C256M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C256M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C256M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C32M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C32M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- 4C32M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C32M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C32M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C32M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C32M16D3-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷95°C
- 4C32M16D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3L-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C32M16MD1A-5BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -30÷85°C
- 4C32M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -40÷85°C
- 4C4M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
ALLIANCE MEMORY
- 78 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 328 ₽
- 10 шт. — 12 306 ₽
- 25 шт. — 11 905 ₽
- 50 шт. — 11 606 ₽
13 328 ₽
В корзину
Доступно 78 шт.