Ещё из раздела
- 11LC080-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 1024x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; SO8
- 11LC160-I/MS IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; MSOP8
- 11LC160-I/P IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; DIP8
- 11LC160-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; SO8
- 24AA00-I/P IC: память EEPROM; I2C; 16x8бит; 1,8÷6В; 400кГц; DIP8
- 24AA00-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 16x8бит; 1,8÷6В; 400кГц; SO8
- 24AA00-I/ST Память EEPROM; I2C; 16x8бит; 1,8?6В; 400кГц; TSSOP8
- 24AA00T-I/OT IC: память EEPROM; I2C; 16x8бит; 1,8÷6В; 400кГц; SOT23-5
- 24AA01-I/MS IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; MSOP8
- 24AA01-I/P IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; DIP8
- 24AA01-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; SO8
- 24AA01-I/ST Память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; TSSOP8
- 24AA014-I/MC IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; DFN8
- 24AA014-I/MS IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; MSOP8
- AS6C6264A-70SCN IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 70нс; SOP28; параллельный
- AS6C6264A-70SCNTR IC: память SRAM; 8Кx8бит; 5В; 70нс; SOP28; параллельный; 330mils
- AS6C6264A-70SIN IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 70нс; SOP28; параллельный
- AS6C6264A-70SINTR IC: память SRAM; 8Кx8бит; 5В; 70нс; SOP28; параллельный; 330mils
- AS6C8008-55BIN IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷5,7В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C8008-55BINTR IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷5,8В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C8008-55ZIN IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II; 400mils
- AS6C8008-55ZINTR IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷5,6В; 55нс; TSOP44 II; 400mils
- AS6C8016-55BIN IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,7÷5В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C8016-55BINTR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,7÷5В; 55нс; TFBGA48; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию