Ещё из раздела
- MX25L12835FZ2I-10G IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- 43TR16128CL125KBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- MX25U12832FZNI02TR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; WSON8
- MX25V20066M1I02/TR IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 1Mx2бит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 45S16100H-7BLA2-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TFBGA60; -40÷105°C
- 42S83200J-7TL IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- MX60LF8G28AD-XKITR IC: память FLASH; 20нс; VFBGA63; параллельный
- CAT24C08C4ATR IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; WLCSP4
- 46TR16128C-15HBLA2 IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,5нс; TWBGA96; -40÷105°C
- 43LD32640B-18BL-TR IC: DRAM memory; 8Mx32bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134; 0÷85°C
- 42SM32100D-6BLI-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- MX25L12833FZ2I-10G IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- MX25LM51245GMI00TB IC: память FLASH; 512Мб; DTR,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- 43TR16128C-15HBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,5нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 46DR16160B25DBLA1T IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 25WP016D-JNLE-TR IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В
- AS4C1G16D4-062BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1600МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- X29GL512GLXFI10QTR IC: память FLASH; 100нс; LFBGA64; параллельный
- 42S16160J-6BL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 45S16160J-7TLA1 IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- WV25616BLL10CTLA3T IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- X25U25635FBBI10GTR IC: память FLASH; 256Мб; QPI,SPI; 32Mx8бит; 108МГц; 1,65÷2В
- M24C04-RDW6TP IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; TSSOP8
- MX25L1635EM2I-10G IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 108МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию