Ещё из раздела
- X25L12833FM2I10GTY IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- MX66UM1G45GXDI00TR IC: память FLASH; 1Гб; DTR,SPI; 128Мx8бит; 166МГц; 1,65÷2В; BGA24
- CAT24C03WI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; SOIC8
- X29LV160DTXEI70GTR IC: память FLASH; 70нс; LFBGA48; параллельный
- MX66L1G85GXDI10GTR IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,7÷3,6В; TFBGA24
- MX25L3235EZNI-10G IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- 25LP128-JMLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- MX25L6445EZNI-10G IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- 43R16160F-5TLI-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 42S16800F-6BL-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- NV24C08DWVLT3G IC: память EEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SOIC8
- MX25V8035FZUI IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 108МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- MX25L512EZUI-10GTR IC: память FLASH; 512кб; SPI; 64Кx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В; USON8
- 43R32400E-5BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 200МГц; 5нс; LFBGA144; -40÷85°C
- WV25616EALL55TLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 1,65÷2,2В; 55нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- M95040-RMN6TP IC: память EEPROM; SPI; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SO8
- WV12816BLL55BLA3TR IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; miniBGA48; -40÷125°C
- QDB24M18A300M3L IC: SRAM memory; 4Mx18bit; 1.8V; LFBGA165; parallel; 0÷70°C
- LPS12836EC200B3LI IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165; parallel
- M95640-RMN6P IC: память EEPROM; SPI; 8Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SO8
- 25LP512MG-RHLE-TR IC: FLASH memory; 512Mb; DTR,QPI,SPI; 166MHz; 2.7÷3.6V; TFBGA24
- 25WP512M-RHLE-TR IC: FLASH memory; 512Mb; DTR,QPI,SPI; 112MHz; 1.65÷1.95V; TFBGA24
- 29GL128-70FLEB IC: FLASH memory; CFI,parallel; 70ns; LFBGA64; parallel
- WV12816BLL55B2LITR IC: SRAM memory; 128kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48; parallel
Памяти - микросхемы
11 623 позиции