Ещё из раздела
- 42VM16160K-6BLI-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 49RL18320A-093EBLI IC: DRAM memory; 2Mx18bitx16; 1066MHz; 8ns; FBGA168; -40÷95°C
- 42S16100H-7BLI-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TFBGA60; -40÷85°C
- WV102416EALL55BLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 1,65÷1,98В; 55нс; VFBGA48; параллельный
- CAT24C128HU4IGT3 IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- 25LP128F-RMLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- LF25636A7.5TQLA3TR IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- 42S83200J-7TLI IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- X25L25673GZ4I10GTR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 120МГц; 2,7÷3,6В
- WV102416GBLL45TLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP48; параллельный
- 43R16800E-5TL IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- WV12816BLL55TLA3 IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- 25WP256D-JLLE-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- AS7C34098A-8TAN IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; TSOP44 II
- 42S32800J-6TLI-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- NLF51218B7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- MX25L25635EMI-12G IC: память FLASH; 256Мб; SPI; 32Mx8бит; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- MX25U12872FM2I02TR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; SOP8
- X29GL512FLXGI10QTR IC: память FLASH; 100нс; FBGA56; параллельный
- 25LP128F-RHLE IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- WV5128EBLL45T2LITR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP32 II; -40÷85°C
- MX25L8006EZNI12GTR IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- MX25R512FZUIH1/TR IC: память FLASH; 512кб; SPI; 64Кx8бит; 108МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV102416BLL25TLITR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 25нс; TSOP48; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию