Ещё из раздела
- 25WP256E-JLLE-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- MX25U1635EZUI10GTR IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; USON8
- LPS204836B166TQLI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- MX30UF4G28ADXKITY IC: память FLASH; 4Гб; 25нс; 1,7÷1,95В; VFBGA63; параллельный
- 43TR16128C-125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- N01S830BAT22I IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C
- MX25L6433FXCI08GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; TFBGA24
- N01S830HAT22I IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C
- MX60LF8G28AD-TI/TR IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
- MX25U4033EZUI12GTR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 1Mx4ит; 80МГц; 1,65÷2В; USON8
- WV6416BLL12BLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TFBGA48; параллельный
- WV12816BLL55TLA3TR IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- MX25V40066M2I02/TR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 1Mx4ит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- X29GL512FLT2I10QTR IC: память FLASH; 100нс; TSOP56; параллельный
- WV25616EDBLL8BLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TFBGA48; параллельный
- CAT93C46BVI-GT3 IC: память EEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; 1,8÷5,5В; 4МГц
- MX25U3232FZNI02/TR IC: память FLASH; 32Мб; QPI,SPI; 4Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; WSON8
- MX77L12850FM2I40TR IC: память FLASH; 128Мб; SPI; 16Mx8бит; 84МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- 25LP256E-JLLE-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- MX25U1635FZNI-10G IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WSON8
- M95080-DFMN6TP IC: память EEPROM; SPI; 1024x8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; SO8
- MX25U1635EM1I10GTR IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; SOP8
- MX25U6432FM2I02/TR IC: память FLASH; 64Мб; QPI,SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; SOP8
- MX25L51245GZ2I-10G IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию