Ещё из раздела
- 43TR16512B-125KBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 43TR16128DL125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 25LP064A-JBLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 25WP032D-JBLA3-TR IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 25WP128F-RHLA3-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; TFBGA24
- 25LP128F-JKLE IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- 42S16400J-6BL IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 25LP032D-JMLE-TR IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 2,3÷3,6В; SO16; бобина,лента
- 42S16100H-6TL IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- 43LR16640A-5BL-TR IC: память DRAM; 16Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TWBGA60; 0÷70°C
- LF25618A7.5TQLITR IC: SRAM memory; 256kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- 34ML02G081-BLI-TR IC: память FLASH; parallel 8bit; VFBGA63; параллельный
- WV12816DBLL10BLI IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- WV102416BLL10TLITR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- C256AL25ULA3TR IC: память SRAM; 32Кx8бит; 5В; 25нс; SOP28; параллельный; -40÷125°C
- WV102416FBLL10BLIT IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 25LP032D-JBLA3 IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 25WP256D-RHLE-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; TFBGA24
- 42S16400J-7B2LI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 42VM16160K-75BLITR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43R16800E-6TL-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- AS7C1026B-15TIN IC: память SRAM; 16Кx8бит; 5В; 15нс; TSOP44 II
- 29GL128-70FLET IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; LFBGA64; параллельный
- MX25U1635EZUI-10G IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; USON8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию