Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SIHB5N80AE-GE3

SIHB5N80AE-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 580 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 412
10 264
50 199
100 179
500 142
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 580 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIHB5N80AE-GE3

Производитель

Купить SIHB5N80AE-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHB5N80AE-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,8А; Idm: 7А; 62,5Вт

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 1,17Ом
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 7А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 62,5Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Ток стока 2,8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 800В
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30В
Выбрано: Показать
Корпус D2PAK
Выбрано: Показать
Корпус TO263
Выбрано: Показать
Вес 1.8g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти