SIA910EDJ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 25262 шт
Количество Цена
1 1 509 ₽
10 257 ₽
50 119 ₽
500 66 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+9 баллов
SIA910EDJ-T1-GE3 от 66 рублей в наличии 25262 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA910EDJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET x2

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    7,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    16нC
  • Ток стока
    4,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    12В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    42мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    20А
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация