SI7898DP-T1-GE3

всего в наличии 9037 шт
Количество Цена
1 581 ₽
10 481 ₽
100 360 ₽
500 289 ₽
1000 267 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+39 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI7898DP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI7898DP-T1-GE3 от 267 рублей в наличии 9037 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI7898DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 3А; Idm: 25А; 1,2Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    1,2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    21нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    150В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    85мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    25А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация