SIHB12N60E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4417 шт
Количество Цена
1 553 ₽
10 353 ₽
100 241 ₽
500 201 ₽
1000 187 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+27 баллов
SIHB12N60E-GE3 от 187 рублей в наличии 4417 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB12N60E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    147Вт
  • Полярность
    полевой
  • Заряд затвора
    58нC
  • Ток стока
    7,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    380мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация