SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3
SI7252DP-T1-GE3
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 3000 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI7252DP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SI7252DP-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

SI7252DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 29,2А; Idm: 80А

  • Производитель
    VISHAY
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Монтаж
    SMD
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    27нC
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    TrenchFET®
  • Ток стока
    29,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    21мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    80А
  • Рассеиваемая мощность
    29Вт
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text