RGE80TS65DGC13

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 120 шт
Количество Цена
19 810 ₽
30 700 ₽
50 678 ₽
100 662 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+99 баллов
  • Условия
    Минимально 19 и кратно 19
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    RGE80TS65DGC-ROH-0
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
RGE80TS65DGC13 от 662 рублей в наличии 120 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 19 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

RGE80TS65DGC-ROH-0 описание и характеристики

Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 63А; 200Вт; Eвыкл: 0,78мДж

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Рассеиваемая мощность
    200Вт
  • Технология
    Field Stop
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    85нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    650В
  • Ток коллектора
    63А
  • Время включения
    49нс
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±30В
  • Энергия отключения
    0,78мДж
  • Энергия подключения
    1,09мДж
  • Вес
    5.6g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация