NXH010P120M3F1PTG

NXH010P120M3F1PTG
NXH010P120M3F1PTG
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+2018 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    NXH010P120M3F1PTG
  • Производитель
    ONSEMI
Вы можете запросить у нас любое количество NXH010P120M3F1PTG, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

NXH010P120M3F1PTG описание и характеристики

Module; transistor/transistor; 1.2kV; 105A; PIM18; Press-in PCB

  • Производитель
    ONSEMI
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Корпус
    PIM18
  • Рассеиваемая мощность
    272Вт
  • Вид упаковки
    лоток
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Технология
    SiC
  • Ток стока
    105А
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Сопротивление в открытом состоянии
    24,5мОм
  • Топология
    полумост MOSFET
  • Ток стока в импульсном режиме
    316А
  • Gate-source voltage
    -10...22В
  • Тип полупроводникового модуля
    MOSFET транзистор
  • Вес
    100g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Каталог
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text