IXTN30N100L

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 315 шт
Количество Цена
1 17 642 ₽
10 13 924 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+2088 баллов
IXTN30N100L от 13924 рублей в наличии 315 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXTN30N100L описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    800Вт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    Linear™
  • Заряд затвора
    545нC
  • Ток стока
    30А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1кВ
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,45Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±40В
  • Время готовности
    1мкс
  • Ток стока в импульсном режиме
    70А
  • Gate-source voltage
    ±40В
  • Тип полупроводникового модуля
    MOSFET транзистор
  • Вес
    30g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация