Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IXFN80N50P

IXFN80N50P

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 5202 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 7 821
10 5 824
100 4 904
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 5 202 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXFN80N50P

Производитель

Техническое описание

Купить IXFN80N50P от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN80N50P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 500В; 66А; SOT227B; Ugs: ±30В; 700Вт

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля полевой МОП-транзистор
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 700Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Технология PolarHV™
Выбрано: Показать
Технология HiPerFET™
Выбрано: Показать
Заряд затвора 195нC
Выбрано: Показать
Ток стока 66А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 500В
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 65мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Время готовности 200нс
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 200А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля MOSFET транзистор
Выбрано: Показать
Вес 30g

Похожие товары

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти