IXFN50N120SIC

IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+2625 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    IXFN50N120SIC
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 299.74 KB
Вы можете запросить у нас любое количество IXFN50N120SIC, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN50N120SIC описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    HiPerFET™
  • Технология
    SiC
  • Заряд затвора
    100нC
  • Ток стока
    30А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Сопротивление в открытом состоянии
    50мОм
  • Напряжение затвор-исток
    -10...25В
  • Время готовности
    26нс
  • Вес
    37.45g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне
Вы смотрели:
EN2P5F26P
EN2P5F26P
Подробнее

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text