IXFN360N10T

всего в наличии 300 шт
Количество Цена ₽/шт
1 6 490
5 6 128
10 5 766
50 5 407
100 5 045
Бесплатная доставка
и получите
+756 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IXFN360N10T
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
Купить IXFN360N10T от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN360N10T описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    830Вт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    HiPerFET™
  • Технология
    GigaMOS™
  • Заряд затвора
    525нC
  • Ток стока
    360А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,6мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Время готовности
    130нс
  • Ток стока в импульсном режиме
    900А
  • Вес
    36.9g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация