IXFN360N10T

всего в наличии 783 шт
Количество Цена
1 7 638 ₽
10 6 997 ₽
20 6 787 ₽
100 5 935 ₽
500 5 067 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+760 баллов
IXFN360N10T от 5067 рублей в наличии 783 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXFN360N10T описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    830Вт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    HiPerFET™
  • Технология
    GigaMOS™
  • Заряд затвора
    525нC
  • Ток стока
    360А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,6мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Время готовности
    130нс
  • Ток стока в импульсном режиме
    900А
  • Вес
    36.9g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация