IXFN32N120P

всего в наличии 633 шт
Количество Цена
1 19 462 ₽
10 17 640 ₽
20 17 502 ₽
50 17 431 ₽
100 15 814 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+2372 балла
IXFN32N120P от 15814 рублей в наличии 633 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXFN32N120P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; Ugs: ±40В; 360нC

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    1000Вт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    HiPerFET™
  • Технология
    Polar™
  • Заряд затвора
    360нC
  • Ток стока
    32А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Сопротивление в открытом состоянии
    310мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±40В
  • Время готовности
    300нс
  • Ток стока в импульсном режиме
    100А
  • Вес
    37.27g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация