IXFN320N17T2

IXFN320N17T2
IXFN320N17T2
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    IXFN320N17T2
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 179.15 KB
Вы можете запросить у нас любое количество IXFN320N17T2, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN320N17T2 описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; Ugs: ±30В; 640нC

  • Ток стока
    260А
  • Технология
    TrenchT2™
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Корпус
    SOT227B
  • Производитель
    IXYS
  • Технология
    GigaMOS™
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    170В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    5,2мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    800А
  • Рассеиваемая мощность
    1070Вт
  • Технология
    HiPerFET™
  • Заряд затвора
    640нC
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Время готовности
    150нс
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Механический монтаж
    винтами
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Вес
    36.9g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text