IXFN200N10P

всего в наличии 968 шт
Количество Цена
1 7 619 ₽
10 7 038 ₽
20 6 900 ₽
50 6 765 ₽
100 6 608 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+991 балл
IXFN200N10P от 6608 рублей в наличии 968 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXFN200N10P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; Ugs: ±30В; 680Вт

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    680Вт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    Polar™
  • Технология
    HiPerFET™
  • Заряд затвора
    235нC
  • Ток стока
    200А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7,5мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Время готовности
    150нс
  • Ток стока в импульсном режиме
    400А
  • Вес
    37.04g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация