IXFN102N30P

IXFN102N30P
IXFN102N30P
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+731 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    IXFN102N30P
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 134.27 KB
Вы можете запросить у нас любое количество IXFN102N30P, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN102N30P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; Ugs: ±30В; 570Вт

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    570Вт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    Polar™
  • Технология
    HiPerFET™
  • Заряд затвора
    224нC
  • Ток стока
    86А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    300В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    33мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Время готовности
    200нс
  • Ток стока в импульсном режиме
    250А
  • Вес
    36.99g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text