IXFN100N50P

всего в наличии 493 шт
Количество Цена
1 12 681 ₽
10 11 296 ₽
20 11 110 ₽
50 11 013 ₽
100 9 915 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1487 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IXFN100N50P
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
IXFN100N50P от 9915 рублей в наличии 493 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXFN100N50P описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; Ugs: ±30В; 240нC

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    полевой МОП-транзистор
  • Рассеиваемая мощность
    1,04кВт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    HiPerFET™
  • Заряд затвора
    240нC
  • Ток стока
    75А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    500В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    49мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Время готовности
    200нс
  • Ток стока в импульсном режиме
    250А
  • Вес
    37.07g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация