HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D
HGTG30N60B3D
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    HGTG30N60B3D
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 212.91 KB
Вы можете запросить у нас любое количество HGTG30N60B3D, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

HGTG30N60B3D описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 208Вт; TO247-3

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-3
  • Рассеиваемая мощность
    208Вт
  • Вид упаковки
    туба
  • Заряд затвора
    250нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    600В
  • Ток коллектора
    30А
  • Ток коллектора в импульсе
    220А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text