HGTG11N120CND

всего в наличии 233 шт
Количество Цена ₽/шт
1 1 469
30 1 165
120 998
510 887
1020 760
Бесплатная доставка
и получите
+113 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    HGTG11N120CND
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
Купить HGTG11N120CND от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

HGTG11N120CND описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 22А; 298Вт; TO247-3

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-3
  • Рассеиваемая мощность
    298Вт
  • Вид упаковки
    туба
  • Заряд затвора
    150нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1,2кВ
  • Ток коллектора
    22А
  • Ток коллектора в импульсе
    80А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    4.94g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация