B2M030120N

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество B2M030120N, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

B2M030120N описание и характеристики

Module; single transistor; 1.2kV; 47A; SOT227B; screw; Idm: 151A

  • Производитель
    BASiC SEMICONDUCTOR
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Рассеиваемая мощность
    223Вт
  • Полярность
    полевой
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    integrated anti-parallel diode
  • Ток стока
    47А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Сопротивление в открытом состоянии
    50мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    151А
  • Gate-source voltage
    -4...18В
  • Тип полупроводникового модуля
    MOSFET транзистор
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация