Российские власти планируют направить 4,68 млрд рублей в 2026-2028 годах на разработку и запуск серийного производства материалов для микроэлектроники. Целевой показатель программы - 98 освоенных материалов к 2028 году.
На проекты по разработке и организации серийного выпуска материалов для микроэлектроники в 2026-2028 годах планируется направить 4,68 млрд рублей. Об этом CNews сообщил со ссылкой на материалы Минпромторга. Программа охватывает сырье, подложки, фотошаблоны и другие позиции, без которых невозможно устойчивое производство полупроводниковых приборов.
Финансирование разделено между научно-исследовательскими и опытно-конструкторскими работами и субсидиями на создание производства. На НИОКР предусмотрено около 1,6 млрд рублей в 2026 году, 0,97 млрд в 2027-м и 1,02 млрд в 2028-м. На субсидии предполагается направить 660 млн, 300 млн и 130 млн рублей соответственно.
К 2028 году ведомство рассчитывает довести число освоенных материалов до 98. Для сравнения, в 2024 году показатель составлял 34 позиции, в 2025-м - 51, а к концу 2026 года ожидается 69. Под освоением понимается не только лабораторный образец, но и подготовка технологии к промышленному применению и серийному выпуску.
В материалах программы указаны следующие ориентиры:
- общий объем финансирования на 2026-2028 годы - 4,68 млрд рублей;
- целевой показатель - 98 видов материалов к 2028 году;
- ожидаемое число освоенных позиций к концу 2026 года - 69;
- 18 материалов планируется вывести в серийное производство в 2026 году;
- еще 23 позиции находятся в разработке;
- к 2028 году предполагается создать около 160 дополнительных рабочих мест.
В перечне продукции, которую планируется серийно выпускать в 2026 году, упоминаются монокристаллический кремний нейтронно-трансмутационного легирования диаметром 150 мм и полированные пластины на его основе. Такой кремний используется там, где требуется высокая однородность распределения примеси по объему кристалла, в частности в ряде силовых полупроводниковых приборов.
Еще одно направление - фотошаблоны для проекционной и контактной литографии. Фотошаблон переносит рисунок будущих структур на фоторезист при изготовлении микросхем и дискретных приборов. Качество маски напрямую влияет на точность геометрии и выход годных изделий.
В программу также включены кремниевые структуры SOI диаметром 100 мм с погребенными полостями и сверхчистая ртуть. Номенклатура показывает, что речь идет не только о классических кремниевых пластинах, но и о специализированных материалах для датчиков, МЭМС, силовой и другой микроэлектроники.
Минпромторг планирует дополнительно сформировать отраслевую ассоциацию и каталог производителей материалов. Такой каталог должен связать разработчиков технологических процессов с поставщиками конкретных химических веществ, подложек и расходных материалов и фиксировать доступную российскую номенклатуру.
По расчетам, бюджетный эффект программы должен составить около 5,29 млрд рублей. Этот показатель включает ожидаемые налоговые и другие поступления при реализации проектов. Однако фактический эффект будет зависеть от выхода разработок в серию и объема закупок со стороны полупроводниковых предприятий.
Развитие материалов идет в составе более широкой программы электронного машиностроения. К 2030 году ставится задача заместить около 70% используемых в отрасли оборудования и материалов. На это направление в целом предусмотрено более 240 млрд рублей бюджетного финансирования.
Материалы часто остаются менее заметной частью микроэлектроники, чем литографические установки или сами микросхемы. Но технологическая линия потребляет десятки видов высокочистых химикатов, газов, пластин, мишеней, фоторезистов и других специализированных продуктов. Отсутствие даже одной критической позиции способно ограничить работу всей цепочки, поэтому программа охватывает сразу почти сотню наименований.
Нейтронно-трансмутационное легирование кремния основано на облучении кристалла нейтронами, в результате чего часть атомов превращается в легирующую примесь. Метод ценится за высокую однородность удельного сопротивления по объему слитка и применяется в силовой электронике. Серийный выпуск таких пластин сокращает зависимость не только от готовых приборов, но и от специализированной исходной подложки.
SOI-структуры с погребенными полостями нужны в ряде сенсорных и МЭМС-технологий, где важны сформированные внутри пластины изолированные или полые области. Фотошаблоны, в свою очередь, являются технологической оснасткой для каждой топологии. Поэтому список из 98 материалов охватывает позиции с разными функциями - от базовой пластины до инструмента переноса рисунка.
