Компания Littelfuse разработала современные, мощные полупроводниковые решения, которые дополнили ряды продукции в ТМЕ.
Наряду с доступными выпрямительными диодами, модулями и тиристорами, Littelfuse создала ещё одно изделие, основанное на базе новой технологии с использованием карбид-кремния, и модуля IGBT.
IGBT от данного производителя наделены:
- высокой надёжностью и выдержку к перебоям тока;
- минимальными потерями и проводимостью напряжения;
- не более 400А тока при работе устройства;
- от 150 до (-) 40 °C — рабочая температура модуля.
Используя технологию SiC, компания Littelfuse создала диоды Шоттки серии LFUSCD, характеризующееся минимальным временем необходимым для восстановления, проводимость электричества до 20А, выдержкой к быстрому возрастанию силы электроэнергии, +175°C — возможная температура при работе и соединении, а так же совсем незначительными потерями при переключении (в сравнении с диодами, произведённые по кремниевой технологии).
MG12150D-BA1MM Модуль: IGBT; 150A; 1,1 кВт; package D; 1,2 кВ; Ifsm: 300A; прикруч.
MG12200D-BA1MM Модуль: IGBT; 210A; 1,4 кВт; package D; 1,2 кВ; Ifsm: 420A; прикруч.
MG12300D-BA1MM Модуль: IGBT; 310A; 1,8 кВт; package D; 1,2 кВ; Ifsm: 620A; прикруч.
