Ещё из раздела
- 4C512M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-83BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-83BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C64M16D1A-6BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; 0÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C64M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C64M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C64M16D2B-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D3B-12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3B-12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷85°C
- 4C64M16D3LB-12BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C64M16D3LB12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3LB12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA60; -40÷85°C
- 4C64M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; лоток
- 4C64M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C64M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C64M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; FBGA90; -40÷85°C; бобина
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 1864 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 66 ₽
- 25 шт. — 64 ₽
66 ₽
В корзину
Доступно 1 864 шт.
STMicroelectronics
- 832 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 261 ₽
- 500 шт. — 234 ₽
261 ₽
В корзину
Доступно 832 шт.
- 828 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 889 ₽
- 10 шт. — 729 ₽
- 25 шт. — 637 ₽
- 50 шт. — 598 ₽
- 100 шт. — 572 ₽
1 889 ₽
В корзину
Доступно 828 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 828 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 69 ₽
- 25 шт. — 67 ₽
- 100 шт. — 66 ₽
69 ₽
В корзину
Доступно 828 шт.
- 826 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 936 ₽
- 10 шт. — 4 600 ₽
- 25 шт. — 4 467 ₽
- 50 шт. — 4 265 ₽
- 100 шт. — 4 111 ₽
4 936 ₽
В корзину
Доступно 826 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 826 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 462 ₽
- 10 шт. — 433 ₽
- 25 шт. — 420 ₽
- 97 шт. — 402 ₽
- 194 шт. — 392 ₽
462 ₽
В корзину
Доступно 826 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 822 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 425 ₽
- 10 шт. — 3 176 ₽
- 27 шт. — 3 068 ₽
- 54 шт. — 2 994 ₽
- 108 шт. — 2 920 ₽
3 425 ₽
В корзину
Доступно 822 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 822 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 74 ₽
- 25 шт. — 73 ₽
- 100 шт. — 69 ₽
74 ₽
В корзину
Доступно 822 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 820 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 73 ₽
- 25 шт. — 67 ₽
- 100 шт. — 67 ₽
73 ₽
В корзину
Доступно 820 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 820 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 158 ₽
- 100 шт. — 134 ₽
158 ₽
В корзину
Доступно 820 шт.
- 820 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 100 ₽
- 10 шт. — 1 024 ₽
- 25 шт. — 994 ₽
- 50 шт. — 948 ₽
- 100 шт. — 925 ₽
1 100 ₽
В корзину
Доступно 820 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 819 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 73 ₽
- 25 шт. — 67 ₽
- 100 шт. — 67 ₽
73 ₽
В корзину
Доступно 819 шт.