Ещё из раздела
- AS4C32M16SB-7BIN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C32M16SB-7BINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M8D1-5TCNTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; 0÷70°C
- AS4C32M8D1-5TINTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C32M8SA-6TINTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C32M8SA-7TCNTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16D1A-5TAN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- AS4C4M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- AS4C4M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-6BAN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C4M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C4M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-6TAN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C4M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C4M16SA-7B2CNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; FBGA60; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C4M32D1A-5BCNTR IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; 0÷70°C
- AS4C4M32D1A-5BINTR IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; -40÷85°C
- AS4C4M32S-6BINTR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C4M32S-7BCNTR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA90; 0÷70°C
- AS4C512M16D4-75BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- AS4C512M16D4-75BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; лоток
- AS4C64M16D1-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; 18нс; TSOP66; 0÷70°C
- AS4C64M16D1-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; 18нс; TSOP66; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 858 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 73 ₽
- 25 шт. — 73 ₽
- 100 шт. — 62 ₽
- 250 шт. — 57 ₽
73 ₽
В корзину
Доступно 858 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 857 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 156 ₽
- 25 шт. — 151 ₽
- 100 шт. — 146 ₽
156 ₽
В корзину
Доступно 857 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 852 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 103 ₽
- 120 шт. — 102 ₽
103 ₽
В корзину
Доступно 852 шт.
- 851 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 439 ₽
- 10 шт. — 1 339 ₽
- 25 шт. — 1 299 ₽
- 50 шт. — 1 268 ₽
- 100 шт. — 1 237 ₽
1 439 ₽
В корзину
Доступно 851 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 844 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 131 ₽
- 25 шт. — 129 ₽
131 ₽
В корзину
Доступно 844 шт.
- 844 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 987 ₽
- 10 шт. — 3 695 ₽
- 25 шт. — 3 579 ₽
- 50 шт. — 3 491 ₽
- 240 шт. — 3 297 ₽
3 987 ₽
В корзину
Доступно 844 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 842 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 73 ₽
- 25 шт. — 67 ₽
- 100 шт. — 67 ₽
73 ₽
В корзину
Доступно 842 шт.
- 841 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 573 ₽
- 10 шт. — 436 ₽
- 25 шт. — 353 ₽
- 50 шт. — 321 ₽
- 100 шт. — 302 ₽
1 573 ₽
В корзину
Доступно 841 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 841 шт. — 4 недели
- 114 шт. — 121 ₽
- 300 шт. — 111 ₽
- 500 шт. — 109 ₽
121 ₽
В корзину
Доступно 841 шт.
от 114 шт. и кратно 114
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 841 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 910 ₽
- 750 шт. — 613 ₽
1 910 ₽
В корзину
Доступно 841 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 840 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 62 ₽
- 25 шт. — 60 ₽
- 100 шт. — 60 ₽
62 ₽
В корзину
Доступно 840 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 835 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 203 ₽
- 25 шт. — 199 ₽
- 100 шт. — 195 ₽
203 ₽
В корзину
Доступно 835 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 834 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 415 ₽
- 10 шт. — 2 243 ₽
- 25 шт. — 2 174 ₽
- 50 шт. — 2 073 ₽
- 100 шт. — 2 022 ₽
2 415 ₽
В корзину
Доступно 834 шт.