Ещё из раздела
- M95010-WDW6TP IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- 43R16320F-6TLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- X29GL640EHXFI70GTR IC: память FLASH; 70нс; LFBGA64; параллельный
- 25LP020E-JYLE-TR IC: память FLASH; 2Мб; QPI,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- 42VM16400M-75BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- WV20488FBLL45BLI IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
- 45S16160J-7TLA2-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 38VF6404-90CEKE IC: память FLASH; 4Mx16бит; 90нс; TSOP48; параллельный
- 45S16400J-6TLA1 IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- MX29GL512FLXGI-10Q IC: память FLASH; 100нс; FBGA56; параллельный
- 43TR16K01S2AL125K IC: память DRAM; 1Гx16бит; 800МГц; 13,75нс; LWBGA96; -40÷95°C
- M24256-DFDW6TP IC: память EEPROM; I2C; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- MX25L4006EZUI12GTR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; USON8
- NV25640DWHFT3G IC: память EEPROM; SPI; 8Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SOIC8
- LPD51236A200TQLI IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- 43LR16400C-6BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- MX25R8035FBDIL0/TR IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; WLCSP8
- M95640-DFDW6TP IC: память EEPROM; SPI; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- M24C64-DFMC6TG IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; UFDFPN8
- MX29GL320ETXEI-70G IC: память FLASH; 70нс; LFBGA48; параллельный
- M95P16-IXMNT/E IC: память EEPROM; SPI; 2Mx8бит; 1,6÷3,6В; SO8; последовательный
- 25LP064D-JBLA3 IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- MX29GL256EHT2I-90Q IC: память FLASH; 90нс; TSOP56; параллельный
- 25WP256E-JLLE-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
Памяти - микросхемы
11 623 позиции